特許
J-GLOBAL ID：200903019555020196
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-042513
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243473
出願日： 1992年02月28日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】リード相互間の影響により発生するクロストークノイズを低減させる構造の半導体装置を提供することである。【構成】リード23,23,...の上面と下面それぞれに表面に酸化膜26が形成された金属板25を接着する。リード23に流れる電流による磁場のなかで、金属板25を通るものは減衰する。したがって、磁場の変動により他のリード23に発生するクロストークノイズが低減する。
請求項（抜粋）：
半導体チップと、上記半導体チップと金属細線により接続されるリードと、上記リードの上面および下面のそれぞれに絶縁層を挟んで設けられた金属板とを具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/50
, H01L 21/90
, H01L 27/04
, H05K 9/00
