特許
J-GLOBAL ID：200903019556506637
液晶表示装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
樺澤 襄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-188529
公開番号（公開出願番号）：特開平8-054648
出願日： 1994年08月10日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：
【要約】【目的】 生産性を低下させることなくアドレス配線の線抵抗を低下できる液晶表示装置を提供する。【構成】 ガラス基板23上に、アルミニウム膜24、モリブデン膜25およびアルミニウム膜26の三層構造のゲート電極27を形成する。ゲート電極27の表面に、アルミニウムの陽極酸化膜からなる絶縁膜33およびシリコン酸化膜からなる絶縁膜35を形成する。ゲート電極27の上方の絶縁膜35上に、第1および第2の半導体層37,38を積層形成し、エッチングストッパ層39を形成する。絶縁膜35上に、マトリクス状にITOの透明画素電極42を形成する。アドレス配線に交差するデータ配線44の一部になるドレイン電極43を形成し、透明画素電極42にソース電極を接続する。アドレス配線はアルミニウム膜24,26でモリブデン膜25を挟んでいるため、抵抗値を低下させるとともに、アルミニウム膜24,26の熱変形を防止できる。
請求項（抜粋）：
アドレス配線と、このアドレス配線を覆うゲート絶縁膜と、前記アドレス配線に交差して配置されるデータ配線と、これらアドレス配線およびデータ配線により区画された部分に位置する透明画素電極と、前記アドレス配線およびデータ配線に接続され前記透明画素電極に対応するスイッチング素子とが絶縁性基板上に形成された液晶表示装置において、前記アドレス配線は、アルミニウムまたはアルミニウム合金のいずれか一方で高融点金属および高融点金属合金の一方を挟んだ積層を含む構造で、前記ゲート絶縁膜は、アルミニウムの陽極酸化膜とシリコン酸化膜の積層を含む多層構造であることを特徴とする液晶表示装置。
IPC (2件)：
G02F 1/136 500
, H01L 29/786
H01L 29/78 612 C
, H01L 29/78 617 U
