特許

J-GLOBAL ID：200903019561356813

半導体製造装置

発明者： 保坂 英二 ,  松本 尚樹 ,  柳川 秀宏 ,  宮田 敏光
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-125138
公開番号（公開出願番号）：特開2002-319546
出願日： 2001年04月23日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：

【要約】【課題】半導体製造装置の炉口部での断熱性を高め、放熱量を低減させ、又断熱部品個々の熱的負担を軽減する。【解決手段】熱処理炉を具備し、該熱処理炉が少なくとも管4と該管を囲繞する様同心に設けられたヒータユニット2を有する半導体製造装置に於いて、前記管とヒータユニットが形成する空間25の下端に断熱リングパッキン38が設けられ、該断熱リングパッキンは前記空間に連通する間隙20に挾持される周縁部40と、前記間隙が臨む空間を閉塞し、前記周縁部と一体に形成された断熱リング本体39とを有する。

請求項（抜粋）：

熱処理炉を具備し、該熱処理炉が少なくとも管と該管を囲繞する様同心に設けられたヒータユニットを有する半導体製造装置に於いて、前記管とヒータユニットが形成する空間の下端に断熱リングパッキンが設けられ、該断熱リングパッキンは前記空間に連通する間隙に挾持される周縁部と、前記間隙が臨む空間を閉塞し、前記周縁部と一体に形成された断熱リング本体とを有することを特徴とする半導体製造装置。

IPC (2件)：

H01L 21/22 511 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/22 511 Q ,  H01L 21/205

Fターム (4件)：

5F045BB08 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EK06

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-186616
  
• 特開平4-186616