特許
J-GLOBAL ID：200903019561801191
プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-118248
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333843
出願日： 1993年05月20日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【構成】 (a)プラズマ発生部4が処理室1内または処理室に隣接して位置し、(b)プラズマ発生手段が石英管5外周に配置された高周波電極6であり、(c)磁界発生手段を有するプラズマ処理装置を用い、プラズマ発生時に、その磁界発生手段により最強部の磁束密度が500ないし1000ガウスの石英管5の壁面に平行な磁界を発生させながら処理を行なう。【効果】 基体に入射するイオンの数およびエネルギーが低下することによりイオンによる損傷を低減させ、反応に有効な励起種を大量に基体近傍に輸送して、高性能で高速な処理を行なうことができる。
請求項（抜粋）：
少なくとも、(1)被処理基体の保持手段を有する処理室、(2)該処理室外周の石英管、(3)プラズマ発生部、(4)該処理室内および該プラズマ発生部内を真空に排気する手段、(5)該処理室内および該プラズマ発生部内に独立に処理用ガスを供給するガス供給手段、および(6)プラズマ発生手段を有するプラズマ処理装置において、(a)プラズマ発生部が処理室内または該処理室に隣接して位置し、(b)プラズマ発生手段が石英管外周に配置された高周波電極であり、しかも(c)最強部の磁束密度が500ないし1000ガウスの該石英管の壁面に平行な磁界を発生させる磁界発生手段を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2件)：
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