特許
J-GLOBAL ID：200903019562836134
IGBT
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石戸 久子 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-150062
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332728
出願日： 2000年05月22日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：
【要約】【課題】 トレンチゲートを有するノンパンチスルー型IGBTにおいて、スイッチング損失を増大させることなく低いオン電圧を保つことができるIGBTを提供する。【解決手段】 トレンチゲートを有するノンパンチスルー型IGBTにおいて、コレクタ層9の不純物濃度を上げることにより、ドリフト層7よりもコレクタ側における過剰キャリアを増大させ、この部分における電圧降下を低く保つ一方、ドリフト層7のエミッタ側での過剰キャリア濃度を低く保つことにより、スイッチング時の損失を低減することで、結果的に低オン電圧で、かつ低スイッチング損失を実現する。
請求項（抜粋）：
ノンパンチスルー型IGBTにおいて、オン状態におけるドリフト層内の蓄積キャリア分布を、ドリフト層の中心部よりもコレクタ側領域において最大とすることを特徴とするIGBT。
IPC (3件)：
H01L 29/78 655
, H01L 29/78
, H01L 29/78 653
H01L 29/78 655 A
, H01L 29/78 655 C
, H01L 29/78 653 C
