特許
J-GLOBAL ID：200903019566229402

半導体装置及びその製造方法

発明者：
野間 崇

野間 崇 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について

, 
三洋半導体株式会社

三洋半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 須藤 克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-352250
公開番号（公開出願番号）：特開2008-166381
出願日： 2006年12月27日
公開日（公表日）： 2008年07月17日
要約：
【課題】信頼性が高く、より小型の装置を実現できる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体基板1の表面上にデバイス素子として例えば発光素子が形成されている。具体的には半導体基板1の表面上に、N型半導体層2,P型半導体層3,及びパッド電極4,5が形成されている。半導体基板11の表面上には、デバイス素子として例えば上記発光素子からの光を受光するデバイス素子10(例えばフォトダイオード素子)とパッド電極13が形成されている。半導体基板1と半導体基板11は接着層15を介して貼り合わされ、一体化されている。パッド電極13と電気的に接続された配線層18と、パッド電極4,5と電気的に接続された配線層19とが、半導体基板11の側面に沿って形成されている。【選択図】図11
請求項（抜粋）：
その表面上に第1のデバイス素子が形成された第1の基板と、 その表面上に第2のデバイス素子が形成された第2の基板とを備え、 前記第1の基板の表面側と前記第2の基板の表面側とが向かい合い、接着層を介して貼り合わされていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 31/12 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (2件)：
H01L31/12 A ,  H01L25/08 Z
Fターム (6件)：
5F089AB13 ,  5F089AC02 ,  5F089AC05 ,  5F089AC09 ,  5F089CA20 ,  5F089EA01
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • フォトカプラ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-270657   出願人：横河電機株式会社
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM