特許
J-GLOBAL ID：200903019567493065
微細導電パターンの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-332510
公開番号（公開出願番号）：特開平6-215329
出願日： 1992年11月18日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：
【要約】【目的】本発明は、比較的厚い膜厚である微細導電パターンを、簡単に且つ高精度で、確実に形成し得るようにした、微細導電パターンの形成方法を提供することを目的とする。【構成】基板11の上面に絶縁層12を形成し、該絶縁層の上面にパターンレジスト13を形成した後、第一のエッチング工程にて、該パターンレジストの形状に基づいて、該絶縁層12を下方に向かってエッチングし、さらに第二のエッチング工程にて、該絶縁層のエッチングにより形成された溝部12aの側壁を、側方に向かってエッチングすることにより、該パターンレジスト13の下縁にオーバーハング部13bを画成した後、その上から、導体14を蒸着させて導体膜を形成し、該パターンレジスト上面に載っている導体膜14bをリフトオフすることにより、微細導電パターンを形成するように、微細導電パターンの形成方法を構成する。
請求項（抜粋）：
基板の上面に絶縁層を形成し、該絶縁層の上面にパターンレジストを形成した後、第一のエッチング工程にて、該パターンレジストの形状に基づいて、該絶縁層を下方に向かってエッチングし、さらに第二のエッチング工程にて、該絶縁層のエッチングにより形成された溝部の側壁のうち、少なくとも上端付近を、側方に向かってエッチングすることにより、該パターンレジストの下縁にオーバーハング部を画成した後、その上から、導体を蒸着させて導体膜を形成し、該パターンレジスト上面に載っている導体膜をリフトオフすることにより、微細導電パターンを形成するようにしたことを特徴とする、微細導電パターンの形成方法。
IPC (3件)：
G11B 5/31
, H01L 21/3205
, C23F 4/00
