特許

J-GLOBAL ID：200903019569314222

プラズマCVD装置

発明者： 鈴木 直樹 ,  宝珍 隆三 ,  石田 敏道 ,  山田 雄一郎
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 石原 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-120396
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315268
出願日： 1992年05月13日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：

【要約】【目的】 膜堆積速度を速くするとともに反応室側壁等への膜堆積を少なくし、かつ膜堆積速度を速くすると増大する膜応力をコントロールする。【構成】 反応ガス導入管18と真空排気口15を有する反応室14と、反応室14内で基板23を載置する基板台22と、基板台22を加熱するヒーターブロック24と、基板台22に低周波電力を供給する低周波電力供給部26と、基板台22の側面に間隙を設けて配設されかつ接地された下部側面シールド板30と、基板台22に対して4〜10mmの間隔を設けて対向配置され高周波電力が供給される高周波電極16と、高周波電極16の側面に間隙を設けて配設されかつ接地された上部側面シールド板29にて構成し、プラズマを電極16と基板台22間に閉じ込めてプラズマ密度を増加させ、基板23上への膜堆積速度を増加させ、さらに基板23に低周波電力を供給することにより膜へのイオン衝撃を起こして膜密度を増加させ、膜応力をコントロールする。

請求項（抜粋）：

反応ガス導入口と真空排気口を有する反応室と、反応室内で基板を載置する基板台と、基板台を加熱するヒーターブロックと、基板台に低周波電力を供給する手段と、基板台側面に間隙を設けて配設されかつ接地された下部側面シールド板と、基板台に対して4〜10mmの間隔を設けて対向配置されかつ高周波電力が供給される高周波電極と、高周波電極の側面に間隙を設けて配設されかつ接地された上部側面シールド板とから成ることを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/314 ,  H05H 1/46