特許
J-GLOBAL ID：200903019570674283
高電圧用に延長されたドレイン領域を持つMOSトランジスタを有する半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
沢田 雅男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-177569
公開番号（公開出願番号）：特開平7-038097
出願日： 1994年07月05日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：
【要約】【目的】 ドレイン降伏電圧及びオン抵抗値を広い範囲にわたって、好ましくは追加の工程を必要とせずに、変化させることができるような半導体装置を提供する。【構成】 本発明による半導体装置は、表面に隣接する第1導電型の表面領域(3)を持つ半導体基体を備える半導体装置であって、上記表面領域にはゲート電極(8)を上方に備えるチャンネル領域と、第2導電型のソース領域(4)及びドレイン領域(5)と、ドレイン延長領域(6)とを有する。上記ドレイン延長領域(6)は第2導電型の複数の領域(25)を有し、これら領域は前記ゲート電極(8)の下方のチャンネル領域から前記ドレイン領域(5)にまで延在すると共に、前記表面領域(3)と前記ドレイン延長領域(6)との間の遮断されたpn接合に掛かる電圧差の上昇により当該ドレイン延長領域が、ドレイン降伏が発生する以前に、少なくとも局部的に完全に空乏化されるような、幅(26)及びドープ濃度を有している。
請求項（抜粋）：
表面に隣接する第1導電型の表面領域を持つ半導体基体を備える半導体装置であって、上記表面領域には絶縁ゲートと、当該表面領域内の上記導電型とは反対の第2導電型のソース領域及びドレイン領域と、該ドレイン領域及び前記表面に隣接する第2導電型のドレイン延長領域と、このドレイン延長領域と前記ソース領域との間に位置する第1導電型のチャンネル領域と、このチャンネル領域の上方に位置すると共に絶縁層により該チャンネル領域から分離されているゲート電極とを備える電界効果トランジスタが設けられ、前記ドレイン延長領域が前記ドレイン領域よりも低いドープ濃度を有すると共に前記ソース領域の方向に長手方向に延在するような半導体装置において、前記ドレイン延長領域は第2導電型の複数の領域を有し、これら領域は前記チャンネル領域から前記ドレイン領域にまで延在すると共に、前記表面領域と前記ドレイン延長領域との間の遮断されたpn接合に掛かる電圧差の上昇により当該ドレイン延長領域がドレイン降伏が発生する以前に少なくとも局部的に完全に空乏化されるような、幅及びドープ濃度を有していることを特徴とする半導体装置。
引用特許：
前のページに戻る
