特許

J-GLOBAL ID：200903019571809611

ウエハーの分割方法、半導体デバイス、および半導体デバイスの製造方法

発明者： 宮川 昌士 ,  鈴木 良明
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-209093
公開番号（公開出願番号）：特開2002-025948
出願日： 2000年07月10日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】 ウエハーを分割する際に、そのウエハーや、分離された半導体チップを信頼性良くハンドリングすることを可能にすると共に、ウエハーから取れるチップの取り個数を大幅に増大させる。【解決手段】 外形形状が円形のウエハーであるシリコン基板1に複数のアルミパッド2、およびパッシベーション膜3が形成されている。このシリコン基板1上に形成されたレジスト4をパターニングし、そのレジスト4をマスクにしてシリコン基板1に、ウエハー分割用の溝であるトレンチ穴5をドライエッチングにより形成する。レジスト4を除去した後にシリコン基板1のアルミパッド2側にバックグラインディングテープ6を貼り付け、シリコン基板1の裏面を、トレンチ穴5に達するまで研削および研磨する。これにより、ウエハーにおける半導体チップの分離幅を細くでき、また、ダイシングによるチッピングを考慮しない、ウエハー上での半導体素子のレイアウトが可能になる。

請求項（抜粋）：

半導体素子が複数形成されたウエハーを個別の半導体チップに分離するウエハーの分割方法であって、前記ウエハーにおける前記半導体素子の形成面における前記半導体チップの外形形状に対応する位置に所定の深さの溝をドライエッチングにより形成する工程と、前記ウエハーにおける前記半導体素子の形成面に保持用シートを貼り付ける工程と、前記ウエハーにおける前記半導体素子の形成面と反対側の裏面を、少なくとも前記溝に達するまで研削及び研磨し、前記ウエハーを個別の半導体チップに分離する工程とを有するウエハーの分割方法。

IPC (2件)：

H01L 21/301 ,  H01L 21/304 631

FI (3件)：

H01L 21/304 631 ,  H01L 21/78 Q ,  H01L 21/78 S