特許

J-GLOBAL ID：200903019581959212

半導体装置の製造方法

発明者： 岡 秀明
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-135792
公開番号（公開出願番号）：特開平10-313121
出願日： 1989年06月20日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：

【要約】【課題】簡便な製造プロセスで大粒径で結晶化率の高い多結晶シリコン膜を形成する。【解決手段】 シリコン膜をLPCVD法により形成する工程と、前記シリコン層を熱処理により結晶成長させる工程と、前記シリコン層を昇温して溶融させるように前記シリコン層をエキシマレーザーにより熱処理する工程と、前記シリコン層上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程とを有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

(a)絶縁性非晶質材料上にシリコンを主体とする半導体層を形成する工程、(b)該半導体層を熱処理等により結晶成長させる工程、(c)該工程(b)より高い所定の熱処理温度で該半導体層を処理する工程を少なくとも有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20

FI (3件)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 617 V