特許

J-GLOBAL ID：200903019583070379

エピタキシャル成長装置サセプターのクリーニング 装置とその方法

発明者： 末吉 八之進
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社
代理人 (1件)： 衞藤 彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-073343
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232275
出願日： 1996年02月20日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】 シリコンウェーハ製造の生産性を向上し、エッチングレートを増大し、HClガス、H2ガスの使用頻度を最小限に抑え、消費電力、ドライエッチング時間を低減させる。【解決手段】 エピタキシャル成長工程後のサセプター2の裏面に付着したポリシリコン付着部分3を除去するためのドライエッチング工程において、エピタキシャル成長炉に使用されるサセプター2と、ガス吐出位置を可変とするドライエッチング用のガスノズル4とを内包したチャンバー1と、該チャンバー1の少なくとも上部、下部、側面のいずれかに配した温度管理機能を有する出力調節可能な加熱装置8とにより、サセプター2のクリーニング装置を構成する。

請求項（抜粋）：

底部中央に導入口を有するチャンバーと、この導入口より挿入され前記チャンバー内にガス吹き出し口が開口したガス導入管と、このガス導入管をチャンバー外部より回転駆動する駆動機構と、ガス導入管にガスを送入する送入機構とを有するクリーニング装置であって、このチャンバー内部に収容される被洗浄物に対し、前記ガス導入管が回転しながらガス吹き出し口から腐食性ガスを吹き付けることにより被洗浄物表面に付着した汚染物を除去するよう構成されたことを特徴とするエピタキシャル成長装置サセプターのクリーニング装置。

IPC (4件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

H01L 21/304 341 Z ,  H01L 21/304 341 G ,  C23C 16/44 J ,  H01L 21/205