特許

J-GLOBAL ID：200903019590106095

光導波路の製造方法

発明者： 大友 克也 ,  笠原 亮一 ,  黒岩 勉
出願人/特許権者： 日立電線株式会社 ,  日本電信電話株式会社 ,  株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-128801
公開番号（公開出願番号）：特開2000-321458
出願日： 1999年05月10日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】【課題】 形成不良が最小限であり、所望の線幅のレジストパターンが得られる光導波路の製造方法を提供する。【解決手段】 深溝に電極のレジストパターンを形成する際に、レジスト塗布時のスピンコータの回転数を深溝側壁が保護されるのに必要な最低限のレジスト膜厚が得られる値11に設定し、プリベーク時間を所望のレジストパターン線幅13が得られるのに必要な最低限の値12に設定し、露光量をレジストパターンに所望の線幅が得られるのに必要な値14にして深溝内にレジストパターンを形成することにより、深溝側壁が完全に保護され、レジストパターンの形状不良が最小限に抑えられ、かつ、所望の線幅のレジストパターンが形成される。

請求項（抜粋）：

基板上にコア膜を形成し、該コア膜に光回路のエッチングを行い、上記光回路を覆うようにクラッドを形成し、該クラッドに深溝を形成し、得られた深溝にフォトリソグラフィを用いて電極を形成する光導波路の製造方法において、上記深溝に電極のレジストパターンを形成する際に、レジスト塗布時のスピンコータの回転数を深溝側壁が保護されるのに必要な最低限のレジスト膜厚が得られる値に設定し、プリベーク時間を所望のレジストパターン線幅が得られるのに必要な最低限の値に設定し、露光量をレジストパターン所望の線幅が得られるのに必要な値に設定して上記深溝内にレジストパターンを形成することを特徴とする光導波路の製造方法。

Fターム (5件)：

2H047KA04 ,  2H047PA22 ,  2H047PA24 ,  2H047QA04 ,  2H047TA42