特許
J-GLOBAL ID：200903019590485797
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
鴨田 朝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-179607
公開番号（公開出願番号）：特開平10-027880
出願日： 1996年07月09日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：
【要約】【課題】 チップに特別な加工を施したり、チップのサイズや電極パッドの配置等に格別な制限を設けなくとも、同一サイズのチップを三次元的に積層できる半導体装置を提供することにある。【解決手段】 本発明は、複数個のチップが基板上に積層された半導体装置において、該チップの周縁部に電極パッドが形成され、かつ電極パッドと該基板とがボンディングワイヤで接続されており、チップ相互間には厚さ25μm以上、300μm以下の接着層を介在させている。
請求項（抜粋）：
複数個の半導体素子が基板上に積層された半導体装置であって、該半導体素子の周縁部に電極パッドが形成され、かつ電極パッドと該基板とがボンディングワイヤで接続されており、半導体素子相互間には厚さ25μm以上、300μm以下の接着層が介在していることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
