特許

J-GLOBAL ID：200903019590993873

検査装置および検査方法

発明者： 則 松 研 二
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-369330
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185592
出願日： 1999年12月27日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：

【要約】【課題】 測定の分解能を損うことなく、かつ、半導体装置でのチャージアップを低減させる検査装置および検査方法を提供する。【解決手段】 電子銃11と非点補正コイル13とを有する試料室2と、対物レンズ15と、二次電子検出器4と、制御コンピュータ21、メモリ29、非点補正コイル制御部23、対物レンズ制御部25および画像処理部27を有する制御部3とを備えた検査装置1を用い、半導体デバイス5のSEM画像を取得して所定の画像データ処理により集積回路の配線55の形状を解析し、その長手方向と配線幅を算出する。メモリ29に格納されたレシピファイル内の制御テーブルに基づいて、長軸方向が配線55の長手方向となり、かつ短軸の長さが配線55の幅を下回る楕円形の照射面を電子ビームEB1が有するように、非点補正コイル13の設定値と対物レンズ15の設定値とを制御コンピュータ21により算出し、非点補正コイル制御部23および対物レンズ15制御部にそれぞれ供給する。

請求項（抜粋）：

電子ビームを出射して検査対象である集積回路が形成された半導体装置に照射する電子ビーム出射手段と、前記電子ビームの断面形状を制御するビーム形状制御手段と、前記電子ビームの焦点位置を調整するビーム集束手段と、前記電子ビームの照射により前記半導体装置の表面から放出される二次電子および反射電子を検出して出力する二次電子検出手段と、前記二次電子検出手段の出力信号を処理して前記集積回路の電気的・物理的状態を表す二次元電子像を形成する画像データを出力する画像処理手段と、前記画像データを処理して前記集積回路の構成要素の輪郭形状を解析し、この解析結果に基づいて、前記電子ビームが前記構成要素の形状に対応した照射面で前記半導体装置に照射するように前記ビーム形状制御手段を制御するとともに、前記照射面における電流密度が前記半導体装置にチャージアップを発生させる量を下回るように前記ビーム集束手段を制御する制御部と、を備える検査装置。

IPC (5件)：

H01L 21/66 ,  G01R 1/06 ,  G01R 31/02 ,  G01R 31/302 ,  H01J 37/28

FI (5件)：

H01L 21/66 J ,  G01R 1/06 F ,  G01R 31/02 ,  H01J 37/28 A ,  G01R 31/28 L

Fターム (25件)：

2G011AA01 ,  2G011AE03 ,  2G014AA02 ,  2G014AA25 ,  2G014AB59 ,  2G014AC11 ,  2G032AD08 ,  2G032AE09 ,  2G032AE10 ,  2G032AE12 ,  2G032AF08 ,  2G032AK04 ,  4M106BA02 ,  4M106CA16 ,  4M106CA38 ,  4M106CA40 ,  4M106DB05 ,  4M106DB12 ,  4M106DB30 ,  4M106DE21 ,  4M106DJ21 ,  5C033TT04 ,  5C033TT05 ,  5C033TT06 ,  5C033TT08