特許

J-GLOBAL ID：200903019591772323

多層配線基板およびその製造方法

発明者： 外川 英男 ,  庄子 房次 ,  石野 正和
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 富田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-205990
公開番号（公開出願番号）：特開平9-055583
出願日： 1995年08月11日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：

【要約】【目的】多層配線基板における層間の接続信頼性の向上。【構成】ヴィア配線24の一端は、平面配線22と、導電性接合材料28を介して接続され、絶縁膜21を形成する絶縁材料の接着温度は、導電性接合材料28の接合温度より低い。

請求項（抜粋）：

複数の平面配線層と、複数のヴィア配線層とを有する薄膜積層体を備える多層配線基板において、上記平面配線層は、加熱により接着性が発現する絶縁材料からなる絶縁膜と、導体からなる平面配線とを備え、上記ヴィア配線層は、導体からなるヴィア配線と、絶縁材料からなる絶縁膜とを備え、上記ヴィア配線の少なくとも一部は、少なくとも一端が、上記平面配線に、導電性接合材料を介して導通可能に接続され、上記膜絶縁材料の接着性の発現する温度は、上記導電性接合材料の接合温度より低いことを特徴とする多層配線基板。

IPC (6件)：

H05K 3/46 ,  B32B 7/12 ,  C08G 69/32 NST ,  C08G 73/10 NTF ,  C08L 71/10 LQK ,  C08L 81/06 LRF

FI (8件)：

H05K 3/46 T ,  H05K 3/46 E ,  H05K 3/46 N ,  B32B 7/12 ,  C08G 69/32 NST ,  C08G 73/10 NTF ,  C08L 71/10 LQK ,  C08L 81/06 LRF