特許
J-GLOBAL ID：200903019593298661
半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-193399
公開番号（公開出願番号）：特開平7-050282
出願日： 1993年08月04日
公開日（公表日）： 1995年02月21日
要約：
【要約】【目的】半導体ウェーハウェット処理装置の循環フィルタリングシステムのフィルター直前で薬液温度を冷却あるいは昇温することにより半導体ウェーハが槽から出た際の析出物の発生、槽内でのゴミの付着を防ぐ。【構成】循環フィルタリングシステム内の薬液温度をフィルター前温度調節器3で冷却し発生した析出物をフィルター4で除去することで、半導体ウェーハがウェット処理槽1から出た際の半導体ウェーハの表面の析出物の発生を防ぎ、半導体装置の歩留り低下を防ぐという効果を有する。また、薬液温度をフィルター前温度調節器3で昇温を行い、薬液粘度を低下させフィルター4での粘性抵抗を低下させて単位時間当たりのフィルタリング回数を上昇させることにより、ウェット処理槽1の清浄度が上昇し、半導体ウェーハ表面へのゴミの付着が少なくなり、半導体装置の歩留り低下を防ぐという効果を有する。
請求項（抜粋）：
薬液、水等の循環フィルタリングシステムを持つ半導体ウェーハウェット処理装置において、フィルター前の薬液の温度調節部と、フィルター後の薬液の温度調節部とを備えることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (3件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/304
, H01L 21/306
