特許

J-GLOBAL ID：200903019594327738

炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者： 楠本 修 ,  横川 俊哉 ,  内田 正雄 ,  山下 賢哉 ,  宮永 良子 ,  北畠 真 ,  高橋 邦方
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-167974
公開番号（公開出願番号）：特開2005-056868
出願日： 2001年06月04日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：

【課題】炭化珪素半導体で高いエッチングレートを保ちながらトレンチエッチングを行うと、トレンチ端面底部にマイクロトレンチができる。トレンチMOSにおいてはトレンチ表面にゲート酸化膜を形成するが、マイクロトレンチは曲率半径が小さいので、ここで電界集中がおこりゲート酸化膜の耐圧が低下する。【解決手段】通常のAlマスクを用いての第一のエッチング工程の後、Alマスクを除去して全面エッチングを行う第二のエッチング工程を行う。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

炭化珪素半導体基板に深いトレンチを形成する方法であって、前記炭化珪素半導体基板上にパターニングしたマスクを形成して前記炭化珪素半導体基板をドライエッチングする第1のエッチング工程と、前記マスクを半導体基板から除去した後、前記炭化珪素半導体基板を等方的にドライエッチングする第2のエッチング工程により炭化珪素半導体基板表面に深いトレンチを設けることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L29/78 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/336

FI (4件)：

H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658G ,  H01L21/302 J

Fターム (10件)：

5F004AA05 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004CA02 ,  5F004DA01 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004EA05 ,  5F004EA28 ,  5F004EB08