特許
J-GLOBAL ID：200903019598882558
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-204688
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094578
出願日： 1993年07月27日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】 集積回路の素子分離を、選択的に形成される厚いフィールド酸化膜の形成によって行う際、耐酸化性マスクであるシリコン窒化膜の端部から厚いフィールド酸化膜が素子形成領域に鳥のくちばし状に食い込むのを抑制する。【構成】 半導体基板1上にシリコン酸化膜2を形成した後、素子形成領域8のシリコン酸化膜2上にシリコン窒化膜3を形成する。次に、イオン注入31によって素子分離領域7にフィールド反転防止層4を形成した後、シリコン窒化膜3をマスクとして素子分離領域7の半導体基板1内にシリコンをアモルファス化するためのイオン注入32を行う。そして、熱酸化により素子分離領域7にフィールド酸化膜6を形成する。この時、単結晶シリコンよりもアモルファスシリコンのほうが酸化速度が大きいので縦方向の酸化が選択的に進行し、フィールド酸化膜6が素子形成領域8に鳥のくちばし状に食い込むのが抑制される。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に酸化膜を形成する工程と、素子形成領域の前記酸化膜上に耐酸化性物質を形成する工程と、素子分離領域にフィールド反転防止層を形成する工程と、前記耐酸化性物質をマスクとして素子分離領域の半導体基板内にイオン注入する工程と、熱酸化により素子分離領域にフィールド酸化膜を形成する工程と、前記耐酸化性物質を除去する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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