特許
J-GLOBAL ID：200903019599712508
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高野 明近 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-236619
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068732
出願日： 1999年08月24日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：
【要約】【課題】 耐湿性に優れ、数10mAまで電流を注入しても光出力飽和がないレゾナントキャビティ(Resonant Cavity)型LEDを量産性よく提供する。【解決手段】 主面が(100)面から[011]方向に対して2°以上傾斜したGaAs基板1上に一定の間隔をもつ一組の多層反射膜3,7で共振器が形成され、この共振器内の定在波の腹の位置に発光層5を有する半導体発光素子において、GaAs基板側の一方の多層反射膜3が複数層のAlxGa1-xAs(0≦x≦1)で形成され、他方の多層反射膜7が複数層のAlyGazIn1-y-zP(0≦y≦1,0≦z≦1)で形成される。耐湿性が向上するとともに、反射膜の数を多くすることにより、高反射率を得ることができる。
請求項（抜粋）：
GaAs基板上に一定の間隔を持つ一組の多層反射膜で共振器が形成され、この共振器内の定在波の腹の位置に発光層を有する半導体発光素子において、前記発光層に対して前記GaAs基板側の多層反射膜が複数層のAlxGa1-xAs(0≦x≦1)によって形成され、前記発光層に対して前記GaAs基板と反対側の多層反射膜が複数層のAlyGazIn1-y-zP(0≦y≦1,0≦z≦1)によって形成されることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 B
, H01S 5/183
5F041AA02
, 5F041AA34
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA23
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA36
, 5F041CA74
, 5F041CA82
, 5F041CA92
, 5F041CA93
, 5F041CB02
, 5F041FF01
, 5F041FF14
, 5F073AA03
, 5F073AB17
, 5F073BA02
, 5F073BA09
, 5F073CA14
, 5F073CB02
, 5F073CB22
, 5F073DA21
, 5F073EA06
, 5F073EA07
, 5F073EA14
, 5F073EA29
