特許
J-GLOBAL ID：200903019604269979
半導体装置の電極形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
碓氷 裕彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-295897
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136080
出願日： 1991年11月12日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：
【要約】【目的】 Si基板とTi膜の密着力をNi膜の引張応力に抗して高くする。【構成】 スパッタリングによる電極形成の際に、Si基板1上に成長した自然酸化膜をArの逆スパッタリングにて除去する。これにより、Si基板1の最表面はArの衝突,入り込みによりアモルファス化する。この時、Arの逆スパッタのスパッタリング条件,例えば出力もしくはバイアス電圧を制御して、このアモルファスSi層6内のAr含有量を略4.5×1014atoms/cm2 以下の値に制御する。これによりTi膜7を堆積した場合、堆積過程においてSi/Ti界面にSi-Tiのアモルファス層8が形成されるが、このアモルファス層8に対して該界面に集中するArが影響を及ぼすことはなく、このアモルファス層8のもつ結合力が保持される。従って、Si-Ti間の密着力は高くなり、充分Ni膜9の膜応力に耐え得るものとなる。
請求項（抜粋）：
アルゴンイオンの逆スパッタリングによる洗浄処理を施した後のシリコン基板表面にコンタクト金属膜を形成し、該コンタクト金属膜上に密着用金属としてニッケル膜を形成する工程を含む半導体装置の電極形成方法において、前記シリコンと前記コンタクト金属膜界面におけるアルゴン原子の面密度を所定の値以下に制御することを特徴とする半導体装置の電極形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/28
, H01L 21/28 301
