特許
J-GLOBAL ID：200903019605059641
伝導度変調型MISFET,その制御回路および半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山田 稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-106590
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235363
出願日： 1992年04月24日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】 寄生トランジスタを利用して、過渡オン特性を向上可能な伝導度変調型MISFET,その制御回路および半導体装置を実現すること。【構成】 半導体装置1は、n- 型伝導度変調層4の表面側にポリシリコンゲート6,p型チャネル拡散領域7,n+ 型ソース拡散領域8およびp+ 型コンタクト領域9を介してp型チャネル拡散領域7に導電接続する寄生トランジスタ制御電極13を備える伝導度変調型MOSFET1aと、n- 型伝導度変調層4の表面側でソース電極12aと寄生トランジスタ制御電極13とをショート状態またはオープン状態にする内蔵MOSFET1bとを有する。
請求項（抜粋）：
第1導電型の伝導度変調層と、この伝導度変調層上に形成されたゲート電極を備える第1導電型のMIS部と、このMIS部を構成する第2導電型のチャネル拡散層の表面側に形成されソース電極が接続される第1導電型のソース領域と、前記MIS部と対峙して前記伝導度変調層と導電接続するように形成され、ドレイン電極が接続される第2導電型のドレイン領域とを有する伝導度変調型MISFETであって、前記チャネル拡散層には、寄生トランジスタ制御用電極が導電接続されていることを特徴とする伝導度変調型MISFET。
FI (2件)：
H01L 29/78 321 J
, H01L 29/78 321 K
