特許
J-GLOBAL ID：200903019611419692
高周波デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-333071
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141706
出願日： 2000年10月31日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：
【要約】【課題】 所望の優れた特性を有するフィルタを実現することができ、通過特性を精度よく容易に調整することが可能な高周波デバイスを提供する。【解決手段】 基板11上に形成された超伝導体膜によって構成された複数の共振素子12からなるフィルタ素子と、超伝導体膜が形成された基板表面に略平行に対向し、かつ複数の共振素子及び共振素子間の間隙を覆うように配置された誘電体板15と、誘電体板を移動させて、誘電体板の基板との対向面と超伝導体膜が形成された基板表面との間隔を調整するための間隔調整用部材16とを備え、間隔調整用部材と共振素子との最小距離は、共振素子を構成する超伝導体膜のパターン幅の少なくとも3倍以上である。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された超伝導体膜によって構成された複数の共振素子からなるフィルタ素子と、前記超伝導体膜が形成された基板表面に略平行に対向し、かつ前記複数の共振素子及び共振素子間の間隙を覆うように配置された誘電体板と、前記誘電体板を移動させることで、前記誘電体板の前記基板との対向面と前記超伝導体膜が形成された基板表面との間隔を調整する間隔調整用部材とを備え、前記間隔調整用部材と前記共振素子との最小距離は、前記共振素子を構成する超伝導体膜のパターン幅の少なくとも3倍以上であることを特徴とする高周波デバイス。
IPC (2件)：
H01P 1/203 ZAA
, H01L 39/00 ZAA
H01P 1/203 ZAA
, H01L 39/00 ZAA Z
4M113AC44
, 4M113AD36
, 4M113AD37
, 4M113BA04
, 4M113BA15
, 4M113CA34
, 4M113CA35
, 4M113CA36
, 5J006HB03
, 5J006JA01
, 5J006LA11
, 5J006LA25
, 5J006MA01
, 5J006MB02
, 5J006MB03
, 5J006NA01
, 5J006NE03
, 5J006NE11
, 5J006PA01
