特許

J-GLOBAL ID：200903019623295409

触媒CVD装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 河西 和美
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 横山 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-296241
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110553
出願日： 2000年09月28日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【目的】本発明は、十分な大きさの成膜速度を確保することができ、成膜プロセス中の基板温度を一定に保持することができる触媒CVD装置、及びこの触媒CVD装置を用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】本発明の触媒CVD装置は、基板サセプタと触媒用フィラメントの間に触媒用フィラメント側から見て基板サセプタの少なくとも一部が見えるような開口部を有する輻射遮蔽板を備える。この構造により、成膜用基板に到達する触媒用フィラメントからの輻射熱を低減することができるとともに、前記開口部を通して十分な量の原料ガスを成膜用基板上に供給することができるので、輻射熱に起因した成膜用基板の温度上昇を低減して成膜プロセス中の成膜用基板の温度を一定に保持することができるとともに、大きな成長速度を得ることができる。

請求項（抜粋）：

【請求項1】基板を保持するための基板サセプタと、チャンバ内に原料ガスを供給する原料ガス導入部と、前記基板サセプタと前記原料ガス導入部の間に設けられ、電流を流すことより加熱することができる触媒用フィラメントと、前記触媒用フィラメントと前記基板サセプタの間に設けられ、加熱された前記触媒用フィラメントからの輻射熱を遮蔽する輻射遮蔽板とを備えた触媒CVD装置であって、前記輻射遮蔽板は前記触媒フィラメント側から見て前記基板サセプタの少なくとも一部が見えるような開口部を有することを特徴とする触媒CVD装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/285

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 B ,  H01L 21/285 C

Fターム (27件)：

4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030KA12 ,  4K030KA24 ,  4K030KA49 ,  4M104DD44 ,  4M104HH20 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045AD06 ,  5F045AE17 ,  5F045AF03 ,  5F045BB02 ,  5F045BB07 ,  5F045BB09 ,  5F045EB02 ,  5F045EB03 ,  5F045EF04 ,  5F045EF18 ,  5F045EK09 ,  5F045EK21