特許
J-GLOBAL ID:200903019625691794
ポジ型フォトレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
萩野 平 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-181820
公開番号(公開出願番号):特開2001-013685
出願日: 1999年06月28日
公開日(公表日): 2001年01月19日
要約:
【要約】【課題】 活性光線又は放射線、特に遠紫外活性放射線に高感度であるだけでなく、該照射後の現像において、未照射部の膜減りおよび照射部の現像残りがなく、矩形状のレジストパターンプロファイルを確実に得ることができ、さらには高耐熱性の化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供すること。【解決手段】 特定の構造のアルカリ可溶樹脂、酸の作用により分解する基を有する化合物、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び有機塩基性化合物を組み合わせてポジ型フォトレジスト組成物。
請求項(抜粋):
(a)下記一般式(I)〜一般式(III)で示される繰り返し単位からなるアルカリ可溶性樹脂、(b)酸の作用により分解する基を有する化合物、(c)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び(d)有機塩基性化合物を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。【化1】一般式(I)〜(III)中、R1〜R4:同一でも異なっていても良く、水素原子または下記一般式(IV)で示される基を表す。但し、R1〜R4のうち少なくとも1個は下記一般式(IV)で示される基を表す。R5〜R9:同一でも異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、下記一般式(IV)で示される基、炭素数1〜4個のアルキル基、炭素数1〜4個のアルコキシ基または炭素数1〜4個のアシル基を表す。R10〜R16:同一でも異なっていても良く、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、下記一般式(IV)で示される基、炭素数1〜4個のアルキル基、炭素数1〜4個のアルコキシ基または炭素数1〜4個のアシル基を表す。【化2】一般式(IV)中、R17〜R20:同一でも異なっていても良く、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、炭素数1〜4個のアルキル基、炭素数1〜4個のアルコキシ基または炭素数1〜4個のアシル基を表す。0.3≦m≦0.90、0.05≦n≦0.30、0.05≦k≦0.40、m+n+k=1
IPC (4件):
G03F 7/039 601
, C08F 2/46
, C08L 25/18
, G03F 7/027
FI (4件):
G03F 7/039 601
, C08F 2/46
, C08L 25/18
, G03F 7/027
Fターム (97件):
2H025AA00
, 2H025AA01
, 2H025AA03
, 2H025AA10
, 2H025AB08
, 2H025AB15
, 2H025AB16
, 2H025AB17
, 2H025AC04
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025CB17
, 2H025CB52
, 2H025CC20
, 2H025FA03
, 2H025FA12
, 2H025FA17
, 4J002BC011
, 4J002BC031
, 4J002BH011
, 4J002CC031
, 4J002EB117
, 4J002EB127
, 4J002EB147
, 4J002ED056
, 4J002ED057
, 4J002EE036
, 4J002EH066
, 4J002EJ016
, 4J002EJ036
, 4J002EJ046
, 4J002EL016
, 4J002EL066
, 4J002EL086
, 4J002EN028
, 4J002ER008
, 4J002ER028
, 4J002ES007
, 4J002EU048
, 4J002EU078
, 4J002EU108
, 4J002EU117
, 4J002EU118
, 4J002EU128
, 4J002EU138
, 4J002EU148
, 4J002EU186
, 4J002EU187
, 4J002EU238
, 4J002EV066
, 4J002EV076
, 4J002EV176
, 4J002EV216
, 4J002EV217
, 4J002EV237
, 4J002EV297
, 4J002EV307
, 4J002EV318
, 4J002FD020
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, 4J011SA63
, 4J011SA64
, 4J011SA72
, 4J011SA78
, 4J011SA82
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