下地との間の仕事関数が制御された複合膜及びその形成方法、並びにかかる複合膜を用いたMOS型トランジスタ及び配線構造

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-018990
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211896
出願日： 1994年01月19日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：

【要約】【目的】下地である基体との界面における仕事関数を所望の値に制御し得る複合膜及びその形成方法を提供する。【構成】複合膜は、(イ)基体10上に形成された島状領域22と、(ロ)基体10及び島状領域22を被覆し、島状領域を構成する材料とは異なる材料から構成された薄膜24から成り、基体単位面積当りの島状領域の面積を制御することによって、基体と複合膜との界面の仕事関数が制御される。複合膜の形成方法は、(イ)基体上に、基体単位面積当りの面積を制御された状態で島状領域を形成する工程と、(ロ)島状領域を構成する材料とは異なる材料から構成される薄膜で、基体及び島状領域を被覆するから工程から成り、基体単位面積当りの島状領域の面積を制御することによって、基体と複合膜との界面の仕事関数が制御される。

請求項（抜粋）：

(イ)基体上に形成された島状領域と、(ロ)該基体及び島状領域を被覆し、島状領域を構成する材料とは異なる材料から構成された薄膜、から成る複合膜であって、基体単位面積当りの島状領域の面積を制御することによって、基体と複合膜の界面の仕事関数を制御することを特徴とする複合膜。

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