特許
J-GLOBAL ID：200903019633230755
マルチフィンガー型電界効果トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-271095
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130762
出願日： 1993年10月29日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：
【要約】【目的】マルチフィンガーFETのソースインダクタンスを低減する。【構成】ソース電極フィンガー部4の各先端と交差する帯状電極5を絶縁膜6の下面に設け、絶縁膜6に形成したスルーホール7を介してソース電極フィンガー部4の各先端およびソース電極引出部4aを接続することにより、ソース電極フィンガー部4から接地端までのソースインダクタンスを低減し、利得を向上させる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に櫛の歯状に配置したゲート電極フィンガー部と、前記ゲート電極フィンガー部を挟んで対向させ櫛の歯状に配置したドレイン電極フィンガー部およびソース電極フィンガー部を有するマルチフィンガー型電界効果トランジスタにおいて、前記ソース電極フィンガー部の各先端下の前記半導体基板上に形成し且つその上に設けた絶縁膜のスルーホールを介して前記ソース電極フィンガー部の各先端およびソース電極引出部のそれぞれに電気的に接続した帯状電極を備えたことを特徴とするマルチフィンガー型電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
