特許

J-GLOBAL ID：200903019638850212

酸化物超電導体の製造方法

発明者： 大石 朗 ,  豊田 一郎
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 内田 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-263106
公開番号（公開出願番号）：特開平9-110426
出願日： 1995年10月11日
公開日（公表日）： 1997年04月28日
要約：

【要約】【課題】 理論密度に近い高密度で安定した均一な超電導特性と高い臨界電流密度を有する酸化物超電導体が得られるY系酸化物超電導体の製造方法を提供すること。【解決手段】 Y、Ba、Cu及びOからなる酸化物超電導体の半溶融凝固法による製造方法において、結晶育成前駆体に熱間加工を施した後、結晶育成を行うことを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。熱間加工を920〜1100°Cの温度で行うことを好ましい態様とする。

請求項（抜粋）：

Y、Ba、Cu及びOからなる酸化物超電導体の半溶融凝固法による製造方法において、結晶育成前駆体に熱間加工を施した後、結晶育成を行うことを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。

IPC (5件)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C04B 35/00 ZAA ,  C30B 29/22 501 ,  C30B 29/22

FI (5件)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 S ,  C30B 29/22 501 A ,  C30B 29/22 501 B ,  C04B 35/00 ZAA