特許
J-GLOBAL ID：200903019652867640
ウエハの誘電体分離方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-083701
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302681
出願日： 1993年04月12日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：
【要約】【目的】1対の半導体基板1と2を誘電体膜3を介して接合した基板接合形ウエハ10を誘電体分離する際のウエハの反りの発生を防止する。【構成】基板接合形ウエハ10の表面から分離溝4を誘電体膜3に達するまでトレンチ状に掘り込んで基板1を複数の半導体領域1aに分割し、この分離溝4の溝面を含むウエハ10の全面に誘電体膜5を被覆し、分離溝4を部分的に充填するよう多結晶シリコン等の充填材6を堆積させ、分離溝4の側面を除くウエハ10の表面上から余分な充填材6をリアクティブイオンエッチング法等により除去し、分離溝4内全体を充填するよう充填材6を堆積させ、かつウエハ10の表面上から余分な充填材6をプラズマエッチング法等により除去する。
請求項（抜粋）：
1対の半導体基板を誘電体膜を介して相互に接合してなる基板接合形のウエハを複数個の半導体領域に誘電体分離する方法であって、ウエハ面から接合誘電体膜に達するまで分離溝を切って基板を半導体領域に分割する工程と、分離溝面を含む全面に誘電体膜を被覆する工程と、分離溝内を部分的に充填するよう全面に充填材を堆積する工程と、分離溝の側面を除く表面上の充填材を選択的に除去する工程と、分離溝の全体を充填するよう全面に充填材を堆積する工程と、ウエハ面上の充填材を除去する工程とを含むことを特徴とするウエハの誘電体分離方法。
IPC (2件)：
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