特許
J-GLOBAL ID：200903019656309154
半導体基板の接合方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
下田 容一郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-225845
公開番号（公開出願番号）：特開2003-039397
出願日： 2001年07月26日
公開日（公表日）： 2003年02月13日
要約：
【要約】【課題】 良好な気密性を保つことができ、接着剤のはみ出しがなく、半導体基板を接合するための工程が煩雑でない半導体基板の接合方法を提供する。【解決手段】 上側半導体基板に触刻部を形成する工程(ST10)によって形成した上側半導体基板に透過膜形成工程(ST11)によって形成した透過膜を宛う工程(ST12)と、接着剤塗布工程(ST13)と貼り合わせて接着する工程(ST14)から成り、これらの工程によって形成された半導体基板接合体を切り出して細分化する工程(ST15)により、ガスレートセンサ用半導体部材が作製される。透過膜形成工程(ST11)では、上側半導体基板に触刻部を形成する工程(ST10)で用いたマスクを用いて透過膜を形成する。
請求項（抜粋）：
触刻部が形成された上側半導体基板と機能部が形成された下側半導体基板を所定の位置で貼り合わせて、少なくとも一つのセンサ用半導体部材を含む半導体基板接合体を構成する半導体基板の接合方法であって、前記上側半導体基板に少なくとも一つの前記触刻部を形成する触刻部形成工程であって、前記触刻部を形成する部分に対応する箇所が光を通すための開口を有するパターンを持つマスクとポジ型レジストを用いたフォトリソグラフィー工程を含む前記触刻部形成工程と、線材で織った膜の目をすべて露光によって溶媒に溶けにくくなるネガ型レジストで塞ぐ工程と、前記マスクを用いて前記膜を露光し、現像することにより、前記マスクの前記光を通すための開口によって露光された部分だけ前記膜の目が塞がれた状態にする工程を含み、接着剤を透過させる透過範囲が設けられた透過膜を形成する透過膜形成工程と、前記透過膜形成工程によって得られた前記透過膜を、前記上側半導体基板と前記下側半導体基板のいずれか一方に宛う透過膜宛い工程と、前記透過膜の上から前記接着剤を透過させることによって、前記透過範囲に従った形状で前記上側半導体基板と前記下側半導体基板のいずれか一方の接着面に前記接着剤を塗布する接着剤塗布工程と、前記上側半導体基板と前記下側半導体基板を前記所定の位置で前記接着剤により貼り合わせて接着する接着工程と、を備えたことを特徴とする半導体基板の接合方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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