特許
J-GLOBAL ID：200903019657913403
露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
立石 篤司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-369771
公開番号（公開出願番号）：特開2002-175962
出願日： 2000年12月05日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
要約：
【要約】【課題】 デフォーカスに起因する露光不良の発生を防止する。【解決手段】 基板W上の各計測点に照射される計測光の照射領域の大きさ及び形状の少なくとも一方を考慮して、基板の光軸方向位置の検出に使用する計測点が制御装置20により選択される。この場合、制御装置では、計測点の照射領域が区画領域からはみ出さない計測点のみを選択することができるので、多点焦点位置検出系(40,42)では選択された計測点のみを使用して、マスクパターンの転写対象の区画領域の光軸方向の位置(及び傾斜)を高精度に計測する。従って、基板上の複数の区画領域に投影光学系PLを介してマスクRのパターンを順次転写する際に、前記計測結果に基づいて、基板上の区画領域を投影光学系の像面に精度良く位置合わせすることにより、デフォーカスに起因する露光不良の発生を防止することができる。
請求項（抜粋）：
エネルギビームによりマスクを照明し、前記マスクに形成されたパターンを投影光学系を介して基板上の複数の区画領域に順次転写する露光装置であって、前記基板上の複数の計測点に計測光を照射し、その反射光を検出することによって前記各計測点における前記投影光学系の光軸方向に関する位置を検出可能な多点焦点位置検出系と;前記各計測点に照射される前記計測光の照射領域の大きさ及び形状の少なくとも一方を考慮して、前記マスクパターンの転写の際に前記基板の光軸方向位置の検出に使用する計測点を選択する選択装置と;を備える露光装置。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/22
, G03F 9/02
G03F 7/22 H
, G03F 9/02 H
, H01L 21/30 526 A
, H01L 21/30 525 W
5F046CC05
, 5F046DA14
, 5F046DB05
, 5F046DB10
