特許

J-GLOBAL ID：200903019660845869

半導体ウェーハの平坦化処理方法

発明者： 遠藤 昭彦 ,  森本 信之
出願人/特許権者： 三菱住友シリコン株式会社
代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-072470
公開番号（公開出願番号）：特開2004-281805
出願日： 2003年03月17日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：

【課題】短時間で、ウェーハ表面の平坦性を高める半導体ウェーハの平坦化処理方法を提供する。【解決手段】シリコンウェーハWの活性層11bの表面に対して、エピタキシャル成長とエッチングとを同時に施す。具体的には、シリコンウェーハWが挿入されたエピタキシャル成長装置の膜形成室に、エピタキシャル成長ガスとエッチングガスとの混合ガスを供給する。これにより、平坦化処理される面の凹部11aがエピタキシャル層11bにより埋められるとともに、凸部11cがエッチングされる。その結果、短時間で活性層11の表面の平坦性を高めることができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハの表面およびまたは裏面を平坦化する半導体ウェーハの平坦化処理方法において、 前記半導体ウェーハの平坦化処理される面の凹部をエピタキシャル層により埋めるエピタキシャル成長と、前記半導体ウェーハの平坦化処理される面の凸部を溶解するエッチングとを同時に施す半導体ウェーハの平坦化処理方法。

IPC (3件)：

H01L27/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/302

FI (4件)：

H01L27/12 E ,  H01L27/12 B ,  H01L21/02 B ,  H01L21/302 201A

Fターム (9件)：

5F004AA11 ,  5F004BA19 ,  5F004CA02 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA24 ,  5F004DA29 ,  5F004DB01 ,  5F004EA34