特許

J-GLOBAL ID：200903019665864942

半導体装置

発明者： 河野 恭彦 ,  宇留野 純平 ,  石坂 勝男
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 吉岡 宏嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-049598
公開番号（公開出願番号）：特開2001-244463
出願日： 2000年02月25日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子の主端子間に印加される電圧をこの電圧よりも低い電圧で直接検出すること。【解決手段】 IGBT10のコレクタ電極端子12とゲート電極端子16との間に5対のコレクタクランプダイオード18〜26が挿入され、ゲート電極端子16とエミッタ電極端子14との間に一対のゲート保護ダイオード28が挿入され、コレクタクランプダイオード24と26との接続点にコレクタ電圧検出端子30が接続されている。IGBT10のコレクタに電圧が印加されたときに、この電圧はコレクタクランプダイオード18〜26によって分圧され、コレクタ電圧検出端子30からは分圧された電圧が出力される。すなわちコレクタ電圧検出端子30からコレクタ電圧を直接監視することができる。

請求項（抜粋）：

能動素子として機能する半導体素子と、前記半導体素子に接続された端子として電源に接続される第一の主端子および第二の主端子と、前記第一の主端子と前記第二の主端子との間に流れる電流を制御する制御端子とを有し、前記第一の主端子と前記制御端子との間に、前記第一の主端子と前記制御端子との間の電圧を分圧する分圧素子と、前記分圧素子により分圧された電圧を出力する電圧検出端子とを備えてなる半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 655 ,  H01L 29/78 657 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 29/78 655 A ,  H01L 29/78 657 A ,  H01L 29/78 657 G