電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-176873
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211330
出願日： 1992年07月03日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：

【要約】【目的】ホットキャリアに対して強く、かつ低ゲート電圧で使用しても電流駆動力が大きい電界効果トランジスタを提供することである。【構成】窒化酸化膜5はドレインアバランシェホットキャリア注入領域4上に形成されている。窒化酸化膜5はシリコン酸化膜9に比べてドレインアバランシェホットキャリアに強い。シリコン酸化膜9はチャネルホットエレクトロン注入領域8上に形成されている。シリコン酸化膜9は窒化酸化膜5に比べてチャネルホットエレクトロンに強い。シリコン酸化膜9は窒化酸化膜5に比べて低ゲート電圧時における電流駆動力が大きくなる。

請求項（抜粋）：

キャリアの流れをゲート電極に加える電圧によって制御する電界効果トランジスタであって、主表面を有する半導体基板と、前記半導体基板中に間を隔てて形成されたソース領域およびドレイン領域と、前記主表面上に形成された窒化酸化膜と、前記主表面上に形成され、窒素濃度が前記窒化酸化膜中の窒素濃度より低くまたは0である酸化膜と、を備え、前記酸化膜上に前記ゲート電極が形成されている電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/784 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 L

前のページに戻る