特許
J-GLOBAL ID：200903019672771127
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-029744
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224432
出願日： 1993年01月26日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：
【要約】【目的】 MIS型トランジスタやキャパシタ等を有し、特性の良好な半導体集積回路およびその製造において最適な方法を提供する。【構成】 配線の全てもしくは一部の表面を酸化することによって、この酸化物をMIS型トランジスタのソース、ドレインの不純物領域の形成の際のマスクとして用いたり、配線間の絶縁材料として用いたり、あるいはキャパシタの誘電体として用いたりするとともに、酸化物をそれらの目的に適合するような厚さに選択的に形成することによって、半導体集積回路を形成する。
請求項（抜粋）：
1枚の基板上に形成された第1および第2のMIS型トランジスタを有する半導体装置において、第1のMIS型トランジスタのゲイト電極の側面および/または上面に存在するゲイト電極を構成する材料の酸化物からなる物体の厚さが、第2のMIS型トランジスタのものと異なることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 311 C
, H01L 29/78 311 G
