特許
J-GLOBAL ID：200903019675629720
溝型コンデンサ構造及び溝型コンデンサの電極を形成する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
泉 和人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-173729
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097385
出願日： 1993年06月21日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【目的】 マスク・レベルの数が少ない集積回路用の溝型コンデンサの電極を形成する方法を提供する。【構成】 本発明の溝型コンデンサの構造は、基板は平面表面を有し、その中に溝領域を形成し、その溝領域は側壁及び底部を有し、さらに複数の一様な層で満たされ、その基板は、溝の側壁及び底部の上の一様な第1の誘電体層と、この第1の誘電体層の上の一様な第1の導体層と、少くとも、溝内の第1の導体層上の他の一様な誘電体層及びその上の一様な導体層とを有し、この導体層及び誘電体層の各々は、基板表面とほぼ同一平面である平面表面領域を有し、この各導体層の平面表面領域はその上に電気接点を形成するに十分に大きく、それによって、導体層は溝領域内で誘電体層間で互いに絶縁された電極を形成する。
請求項（抜粋）：
集積回路用のコンデンサ構造の絶縁された溝電極を形成する方法において:平面表面を有する基板を供給し、その面内に側壁及び底部を持つ溝を形成し、その溝は第1の部分及びより小さな横幅の狭幅部を有し;溝の側壁及び底部の上に誘電体材料の一様な層を形成し、溝の誘電体層内に空洞を残し;誘電体層上に一様な導体材料の層を供給し、その導体層の厚さは溝の狭幅部を完全に満たし、溝の第1の部分では完全には満されず空洞の部分を生じ;溝内で次の層に少なくとも他の一様な誘電体層又は一様な導体層を形成し;誘電体層、導体層及び基板の表面から上に延びた次の一様な層を除去することによって構造を平面化し、前記各層の表面を基板表面とほぼ同一平面上である溝内で露出させ、これによって、各導体層は絶縁された複数の溝の一つを形成することを特徴とする溝型コンデンサの電極を形成する方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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