特許
J-GLOBAL ID:200903019675894688

基板処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山本 惠二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-312666
公開番号(公開出願番号):特開平7-142410
出願日: 1993年11月18日
公開日(公表日): 1995年06月02日
要約:
【要約】【目的】 処理室内における基板処理部付近のプラズマの状態、パーティクルの発生状況および基板処理部の汚れ度合を基板の処理中に目視で確認することができる基板処理装置を提供する。【構成】 真空雰囲気中でプラズマを用いて基板2を処理する各処理室16a〜16dの壁面部に、各処理室内の基板処理部付近を撮影するCCDカメラ30および増幅型CCDカメラ32をそれぞれ設けた。また、各処理室16a〜16dの壁面部に、各処理室内におけるプラズマ発光のスペクトル強度を測定する分光器34をそれぞれ設けた。そして、このような各CCDカメラ30および各増幅型CCDカメラ32で撮影した画像ならびに各分光器34で測定したデータを、表示装置に表示させるようにした。
請求項(抜粋):
真空雰囲気中でプラズマを用いて基板を処理する1以上の処理室を有する基板処理装置において、前記各処理室の壁面部にそれぞれ設けられていて各処理室内の基板処理部付近をそれぞれ撮影するCCDカメラと、この各CCDカメラで撮影した画像を表示する表示装置とを備えることを特徴とする基板処理装置。
IPC (8件):
H01L 21/205 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/52 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/52 ,  C23F 4/00 ,  H04N 5/225 ,  H04N 7/18

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