特許
J-GLOBAL ID：200903019676586510
アクティブマトリクス型表示装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-326103
公開番号（公開出願番号）：特開平8-184852
出願日： 1994年12月27日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：
【要約】【目的】 TFTのOFF状態でのリーク電流を抑え、開口率が大きい高性能なアクティブマトリクス型表示装置を提供する。【構成】 絶縁性基板21上に、光遮蔽膜22および補助キャパシタ電極23となる導電性膜が設けられている。この光遮蔽膜22上にはTFT35が設けられ、TFT35は、活性領域25、ソース領域26およびドレイン領域27を有する半導体層上にゲート絶縁膜28を介してゲート電極29形成されている。補助キャパシタ電極23はドレイン領域27と電気的に導通されて、表示画素電極32と同電位となっている。この補助キャパシタ電極23の上には、ゲート絶縁膜28を介してゲート電極29のパターン形成時に導電性膜の導電性膜30が形成され、ゲート絶縁膜28だけを誘電体膜とする電荷保持用補助キャパシタとなっている。
請求項（抜粋）：
一対の電極基板間に表示媒体が挟持され、該一対の電極基板のうち一方に、マトリクス状に設けられた表示画素電極と、該表示画素電極の近傍に該表示画素電極を駆動制御する薄膜トランジスタと、該表示画素電極に形成される表示画素キャパシタを補助する補助キャパシタ部とを有するアクティブマトリクス型表示装置において、該薄膜トランジスタの光遮蔽膜となる第1導電性膜を設け、該補助キャパシタ部における補助キャパシタ電極の一方電極となる第2導電性膜を設け、該一方電極上の該薄膜トランジスタのゲート絶縁膜の一部を介して該補助キャパシタ電極の他方電極となる第3導電性膜を設け、該第2導電性膜が該表示画素電極と同電位となるように電気的に接続されているアクティブマトリクス型表示装置。
IPC (2件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/133 550
