特許

J-GLOBAL ID：200903019677571304

被転写媒体の製造方法、被転写パターン形成プログラムを記憶した記憶媒体、及び半導体デバイスの製造方法

発明者： 上條 康一 ,  岡本 和也
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 細江 利昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-082635
公開番号（公開出願番号）：特開2001-305720
出願日： 2000年03月23日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】 サブフィールド内における荷電粒子線露光装置のボケの違いに起因して感応基板に形成されるパターンが目的のものと異なることになることを防ぐような被転写パターンの形成方法を提供する。【解決手段】 マスク又はレチクル上のパターンを感応基板面上に転写する方式の荷電粒子線露光装置に使用される被転写パターンの形成方法であって、当該被転写パターンを形成する際に、マスク又はレチクル上のパターンが感応基板面上に転写されるときの荷電粒子光学系のボケを、一度に転写されるフィールド内での転写位置ごとに、予めテーブル又は計算式の形で用意しておき、この光学系のボケを用いて近接効果補正計算を行い、目的とするパターン形状が感応基板上で得られるように被転写パターンの変形を行う

請求項（抜粋）：

マスク又はレチクル上のパターンを感応基板面上に転写する方式の荷電粒子線露光装置に使用される被転写媒体の製造方法であって、当該被転写パターンを形成する際に、マスク又はレチクル上のパターンが感応基板面上に転写されるときの荷電粒子光学系のボケを、一度に転写されるフィールド内での転写位置ごとに、予めテーブル又は計算式の形で用意しておき、この光学系のボケを用いて近接効果補正計算を行い、目的とするパターン形状が感応基板上で得られるように被転写パターンの変形を行うことを特徴とする被転写媒体の製造方法。

IPC (4件)：

G03F 1/16 ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 7/22 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 1/16 B ,  G03F 1/16 E ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 7/22 H ,  H01L 21/30 541 S

Fターム (10件)：

2H095BA02 ,  2H095BA08 ,  2H095BB02 ,  2H095BB36 ,  2H097AB09 ,  2H097CA16 ,  2H097GB01 ,  5F056AA22 ,  5F056FA05 ,  5F056FA08