特許

J-GLOBAL ID：200903019680229293

パターン形成方法

発明者： 寺尾 直洋 ,  山田 勝則 ,  神谷 信雄 ,  河本 邦仁 ,  瀬尾 暁
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 上野 登
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-323894
公開番号（公開出願番号）：特開2000-147792
出願日： 1998年11月13日
公開日（公表日）： 2000年05月26日
要約：

【要約】【課題】 常温処理或いは比較的低温の処理により、基板上に金属酸化物による微細形状のパターンを形成するパターン形成方法を提供すること。【解決手段】 基板上に感光性の疎水基を有する被膜を形成し、その被膜にフォトマスク等を用いて光を照射して露光部分を親水基に変えた親水性膜によるパターンを形成し、これを含フッ素金属化合物を含むホウ酸水溶液に浸漬して、その被膜上に金属酸化物を析出させる。このときに超音波振動を付与しておくと、疎水性膜上の金属酸化物は剥がれ、親水性パターン上にのみ金属酸化物が析出される。フォトリソグラフィーによりパターンが形成され、しかも常温処理が可能であることから高密度・高精度のパターンが形成される。

請求項（抜粋）：

基板上に感光性の疎水基を有する被膜を形成する疎水性被膜形成工程と、該疎水性被膜形成工程により基板上に形成された疎水性被膜に光を照射して親水性のパターンを形成する親水性パターン形成工程と、該親水性パターン形成工程により前記被膜に形成された親水性パターン上に含フッ素金属化合物を含む酸液を介して金属酸化物を析出させる金属酸化物析出工程とからなることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/40 521 ,  G03F 7/075 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/40 521 ,  G03F 7/075 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (10件)：

2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AD01 ,  2H025EA04 ,  2H025FA39 ,  2H096AA25 ,  2H096BA20 ,  2H096CA12 ,  2H096EA03 ,  2H096JA10