特許

J-GLOBAL ID：200903019684376843

透明導電性薄膜の製造方法

発明者： 草場 賢一
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 佐野 静夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-303782
公開番号（公開出願番号）：特開平8-161947
出願日： 1994年12月07日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：

【要約】【目的】傷つきにくく均一な厚みを有する透明導電性薄膜を低温焼成で形成することができる透明導電性薄膜の製造方法を提供する。【構成】ガラス基板1を純水4で親水化(a)した後、インジウム,スズを含む親水性の金属部分2aと,疎水性の有機基部分2bとから成る金属セッケン1の溶液を、ガラス基板1に塗布する(b)(c)。低温焼成で金属セッケンを熱分解することによって、ガラス基板1に透明導電性のITO膜3を形成する(d)。

請求項（抜粋）：

熱分解により透明導電性物質を生成する金属セッケンの溶液を基板に塗布し、焼成することによって、基板に透明導電性薄膜を形成する透明導電性薄膜の製造方法において、前記金属セッケンの溶液を基板に塗布する前に、基板を親水化することを特徴とする透明導電性薄膜の製造方法。

IPC (6件)：

H01B 13/00 503 ,  C03C 17/25 ,  C23C 18/12 ,  C23C 22/74 ,  G02F 1/1343 ,  C01G 19/00