特許
J-GLOBAL ID：200903019684974848
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-267802
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109273
出願日： 1991年10月16日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：
【要約】【構成】先に選択したワード線W1を降圧する前にこのワード線W1の電荷をコンデンサ5に充電し、次に選択するワード線W3を昇圧する前にコンデンサ5の電荷をこのワード線W3に移動させて予備昇圧する。或いは、ワード線Wの選択を切り換える際に、先に選択したワード線W1と次に選択するワード線W3を接続し、ワード線W1の電荷をワード線W3に移動させて予備昇圧する。【効果】先に昇圧したワード線W1の電荷を利用して次に選択するワード線W3の予備昇圧を行うことができるので、新たなワード線Wを選択するために昇圧を行う際の電源の消費電力を少なくすることができる。
請求項（抜粋）：
複数の信号線の何れかが選択的に接続される共通信号線を有する半導体記憶装置であって、電荷保持手段、及び該電荷保持手段と該共通信号線との間に設けられ、選択された信号線の処理が終了してから該共通信号線の降圧する迄の間と、及び次に選択された信号線が接続されてから該共通信号線を再び昇圧する迄の間とに於いて該電荷保持手段と該共通信号線とを接続する充電制御手段を備えている半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 11/34 354 D
, G11C 11/34 M
