特許

J-GLOBAL ID：200903019696473704

露光方法および露光装置

発明者： 加藤 正紀
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 山口 孝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-126592
公開番号（公開出願番号）：特開2000-321784
出願日： 1999年05月07日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】【課題】 投影光学系を大型化することなくスループットを向上させ、且つデバイスの切り替え時間を短縮する。【解決手段】 投影光学系(16)の物体側視野よりも大きいパターン領域を有するレチクル(13)を用いる。そして、パターン領域に形成された第1パターン部分領域を投影光学系に対して位置決めし、そのパターンを感光性基板(17)上の第1単位露光領域に露光する。次いで、パターン領域に形成された第2パターン部分領域を投影光学系に対して位置決めし、そのパターンを第1単位露光領域と隣り合う第2単位露光領域に露光する。

請求項（抜粋）：

所望の合成パターンを得るために、投影光学系を用いて感光性基板に互いに隣り合う複数の単位露光領域を形成する露光方法において、前記投影光学系の物体側視野よりも大きいパターン領域を有するレチクルを前記投影光学系の物体面に設定するレチクル設定工程と、前記投影光学系の物体面に設定された前記レチクルの前記パターン領域の一部を構成する第1パターン部分領域を前記投影光学系に対して位置決めする第1位置決め工程と、前記第1位置決め工程後において、前記第1パターン部分領域に形成されたパターンを前記複数の単位露光領域のうちの第1単位露光領域に露光する第1露光工程と、前記パターン領域の一部を構成するパターン部分領域であって前記第1パターン部分領域とは異なる第2パターン部分領域を前記投影光学系に対して位置決めするために前記投影光学系に対して前記レチクルを相対的に移動させる第2位置決め工程と、前記第2位置決め工程後において、前記第2パターン部分領域に形成されたパターンを前記複数の単位露光領域のうちの前記第1単位露光領域と隣り合う第2単位露光領域に露光する第2露光工程とを含むことを特徴とする露光方法。

Fターム (9件)：

2H097AA11 ,  2H097AB01 ,  2H097AB09 ,  2H097CA06 ,  2H097CA12 ,  2H097DA07 ,  2H097GB01 ,  2H097KA03 ,  2H097LA12