特許
J-GLOBAL ID：200903019696698714
半導体装置のシリコン酸化膜の製造法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-149812
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299412
出願日： 1992年04月23日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：
【要約】【目的】 現在行われているCVD法によるSiO2膜の製法はアルコキシシランが縮重合して基板に付着するまでの反応と付着してからの反応とを区分せずに、継続的にSiO2の薄膜を基板上に形成している。このため基板上に付着時には流動性の乏しい縮重合物となり、それが最終的にSiO2膜となるため段差被覆性、平坦化性が必ずしも十分ではない欠点がある。本発明はこの欠点を除去しようとするものである。【構成】 アルコキシシランを原料として基板上に二酸化ケイ素膜を製造する反応室内において、アルコキシシラン1モル当り1.2モル以下のオゾンあるいはN2Oあるいは水蒸気によって液体状のアルコキシシラン縮重合物が基板表面に生成したのち、アルコキシシランの供給を断った状態でオゾンあるいはN2Oを流す時間を設けることによりアルコキシシラン縮重合物をSiO2膜にする方法である。本発明になるシリコン酸化膜は、この製造法を基板上に繰り返し堆積し積層膜にすることが好ましい。
請求項（抜粋）：
アルコキシシランを原料として基板上に二酸化ケイ素膜を製造する反応室内において、アルコキシシラン1モル当リ1.2モル以下のオゾンあるいN2Oあるいは水蒸気によって液体状のアルコキシシラン縮重合物が基板表面に生成したのち、アルコキシシランの供給を断った状態でオゾンあるいはN2Oを流す時間を設けることを特徴とする半導体装置のシリコン酸化膜の製造法。
IPC (4件)：
H01L 21/316
, C23C 14/10
, C30B 25/14
, H01L 21/205
