特許

J-GLOBAL ID：200903019698805089

プラズマ処理方法

発明者： 奥村 智洋 ,  中山 一郎
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-068301
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257198
出願日： 2000年03月13日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：

【要約】【課題】 エッチング主体の工程とデポジション主体の工程を切り換えたときや、プラズマ発生装置または電極に供給する高周波電力のON/OFFを切り換えたときに発生する反射電力を抑制できるプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】 プラズマ発生装置用高周波電源4により13.56MHzの高周波電力を、プラズマ発生装置用整合回路5を介して、コイル6に供給すると、真空容器1内にプラズマが発生し、電極7上に載置された基板8に対してエッチング、堆積等のプラズマ処理を行うことができる。この装置を用いて、エッチング主体の工程とデポジション主体の工程を切り換えて繰り返し行うことにより、単結晶シリコンに深い溝加工を行ったところ、発生する反射電力を抑制することができた。

請求項（抜粋）：

プラズマ発生装置を備えた真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、2つの可変インピーダンス素子として可動部をもたないトロイダルコアを備えたプラズマ発生装置用整合回路を介してプラズマ発生装置に高周波電力を供給することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、真空容器内の電極に載置された被エッチング物をエッチングするに際して、真空容器内に供給するガスの主成分がエッチングガスであるエッチング主体の工程と、真空容器内に供給するガスの主成分がデポジションガスであるデポジション主体の工程を所定時間で切り換えて繰り返し行うことを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  B01J 19/08 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (6件)：

B01J 19/08 H ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 L ,  H01L 21/302 B ,  H01L 21/302 F

Fターム (35件)：

4G075AA24 ,  4G075BC02 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075CA25 ,  4G075DA02 ,  4G075EB01 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BC08 ,  5F004BD04 ,  5F004CA01 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004DA01 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DB01 ,  5F004DB03 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AE21 ,  5F045BB15 ,  5F045DP02 ,  5F045EB02 ,  5F045EH04 ,  5F045EH12 ,  5F045EH20