特許

J-GLOBAL ID：200903019700400628

イオン交換膜及びその製造方法、並びに電気化学デバイス

発明者： 香取 健二
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-219513
公開番号（公開出願番号）：特開2004-063249
出願日： 2002年07月29日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】イオン交換樹脂との密着性が良好であり、十分な機械的強度を有するイオン交換膜及びその製造方法、並びに電気化学デバイスを提供することにある。【解決手段】絶縁性保護層2により少なくとも一部が表面被覆されたTi等の金属多孔質膜3を有し、この多孔質膜3にナフィオン等のイオン交換樹脂4が充填されている、イオン交換膜1。Ti等の金属多孔質膜3の表面の少なくとも一部を絶縁性保護層2で表面被覆する工程と、多孔質膜3にナフィオン等のイオン交換樹脂4を充填する工程とを有する、イオン交換膜1の製造方法。第1極と、第2極と、これらの両電極間に挟持されたイオン伝導体とからなり、前記イオン伝導体が、絶縁性保護層2により少なくとも一部が表面被覆されたTi等の金属多孔質膜3を有し、この多孔質膜3にナフィオン等のイオン交換樹脂4が充填されているイオン交換膜1からなる、電気化学デバイス。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

絶縁性保護層により少なくとも一部が表面被覆された金属多孔質膜を有し、この多孔質膜にイオン交換樹脂が充填されている、イオン交換膜。

IPC (4件)：

H01M8/02 ,  B01D69/10 ,  B01J47/12 ,  C25B13/04

FI (5件)：

H01M8/02 P ,  H01M8/02 L ,  B01D69/10 ,  B01J47/12 A ,  C25B13/04 301

Fターム (29件)：

4D006GA41 ,  4D006HA41 ,  4D006JA03A ,  4D006JA03C ,  4D006MA03 ,  4D006MA09 ,  4D006MA14 ,  4D006MA24 ,  4D006MB07 ,  4D006MC30X ,  4D006NA05 ,  4D006NA64 ,  4D006PA01 ,  4D006PB18 ,  4D006PB66 ,  4D006PC80 ,  5H026AA06 ,  5H026AA08 ,  5H026BB01 ,  5H026BB02 ,  5H026BB04 ,  5H026CC01 ,  5H026CC03 ,  5H026CX04 ,  5H026CX05 ,  5H026EE02 ,  5H026EE12 ,  5H026EE19 ,  5H026HH04