強誘電体材料およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鴨田朝雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-238133
公開番号（公開出願番号）：特開2003-048777
出願日： 2001年08月06日
公開日（公表日）： 2003年02月21日
要約：

【要約】【課題】低い焼結温度でも緻密化が可能で、Biの飛散がなく、粗大な空隙のない緻密な強誘電体材料およびその製造方法を提供する。【解決手段】原子比でTaを基準として2.0とした場合、Sr<SB>x</SB>Bi<SB>y</SB>Ta<SB>2.</SB><SB>0</SB>O<SB>z</SB>(0.55≦x<0.8、2.1≦y<2.8、zはSr、Bi、Taが酸化物となったときの酸化数の合計値)の組成からなる強誘電体材料の製造方法であり、原料粉末を調合、混合する第一工程と、得られる混合粉末を湿式解砕し、乾燥造粒し、仮焼する第二工程と、得られる仮焼粉末を湿式粉砕し、バインダを添加して、乾燥造粒する第三工程と、得られる造粒粉末を成形する第四工程と、得られる成形体を焼結する第五工程とからなる。

請求項（抜粋）：

原子比でTaを基準として2.0とした場合、Sr<SB>x</SB>Bi<SB>y</SB>Ta<SB>2.0</SB>O<SB>z</SB>(0.55≦x<0.8、2.1≦y<2.8、zはSr、Bi、Taが酸化物となったときの酸化数の合計値)の組成からなる焼結体。

IPC (7件)：

C04B 35/495 , C01G 35/00 , C23C 14/34 , H01B 3/00 , H01B 3/12 312 , H01B 3/12 318 , H01L 27/105

FI (7件)：

C01G 35/00 C , C23C 14/34 A , H01B 3/00 H , H01B 3/12 312 , H01B 3/12 318 G , C04B 35/00 J , H01L 27/10 444 C

Fターム (32件)：

4G030AA09 , 4G030AA21 , 4G030AA43 , 4G030BA10 , 4G030GA05 , 4G030GA11 , 4G030GA16 , 4G030GA28 , 4G048AA05 , 4G048AB01 , 4G048AB05 , 4G048AC02 , 4G048AD04 , 4G048AE05 , 4K029BA50 , 4K029BC00 , 4K029CA05 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 5F083FR00 , 5F083JA17 , 5F083PR22 , 5G303AA10 , 5G303AB15 , 5G303BA09 , 5G303CA01 , 5G303CB05 , 5G303CB32 , 5G303CB33 , 5G303CD07 , 5G303DA04 , 5G303DA05

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