特許

J-GLOBAL ID：200903019706005135

半導体装置及びその製造方法

発明者： ▲もたい▼ 貴子 ,  江渕 康男
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-192015
公開番号（公開出願番号）：特開2004-039728
出願日： 2002年07月01日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：

【課題】リーク電流が低減でき、容量の電圧依存性のないキャパシタ特性維持、制御することが容易な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板に形成され、TiN を電極、Ta2O5 等の高誘電率の金属酸化物を誘電体膜とするキャパシタにおいて、上部電極13もしくは下部電極11、あるいは上部電極及び下部電極と誘電体膜12との間にアルミニウム酸化膜(Al2O3 )32、33及びアルミニウム窒化膜(AlN )31、34を形成する。TiN 電極と接する層をAlN とし、誘電体膜と接する層をAl2O3 とすることによってTiN 電極に直接酸化物が接することなく、電極と誘電体膜との間に容量の電圧変動を生じさせる主要因であるTiOx膜が生じることを防ぐ。誘電体膜をバンドギャップの大きい良質な絶縁膜であるAl2O3 膜で挟み込むことができるのでリーク電流が低減し、特性の制御が容易となる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 前記半導体基板上に形成された下部電極、前記下部電極上に形成された誘電体膜及び前記誘電体膜上に形成された上部電極から構成されたキャパシタとを具備し、 前記誘電体膜は、高誘電率のタンタル酸化膜からなり、前記下部電極及び前記上部電極の少なくとも一方はチタンナイトライド層からなり、前記チタンナイトライド層からなる電極と前記誘電体膜との間にはアルミニウム酸化膜及びアルミニウム窒化膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L21/822 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/108

FI (4件)：

H01L27/04 C ,  H01L21/316 M ,  H01L27/10 621Z ,  H01L27/10 651

Fターム (25件)：

5F038AC05 ,  5F038AC16 ,  5F038AC17 ,  5F038AC18 ,  5F038CD18 ,  5F038CD20 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA11 ,  5F058BD02 ,  5F058BD05 ,  5F058BF14 ,  5F083AD21 ,  5F083GA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA06 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083NA08