特許
J-GLOBAL ID：200903019716850577
半導体モジュールの温度検出装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-198199
公開番号（公開出願番号）：特開平10-038964
出願日： 1996年07月26日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：
【要約】【課題】 半導体モジュールの発熱温度検出を行う場合、素子毎に温度検出回路を設ける必要があるため温度検出回路規模が大きくなる。また、サーミスタを用いる場合、間接的温度測定になるので、温度応答性が悪く検出誤差が大きい。【解決手段】 IGBT素子12a〜12c毎に配列され、その温度に直接応答するダイオード14a〜14cを並列接続し、単一の温度検出回路16に接続する。その結果、全てのIGBT素子の温度が上昇した場合でも、特定の1つのIGBT素子の温度が上昇した場合でも所定誤差範囲内でその温度変化を迅速に検出できる。また、温度検出回路16の共有化が可能になり、装置の小型化を行うことができる。
請求項（抜粋）：
複数の素子からなる半導体モジュールの温度検出を行う温度検出装置において、各素子に設けられたダイオードであって、互いに並列に接続された温度検出用ダイオードと、並列接続された前記温度検出用ダイオードが接続され、該温度検出用ダイオードの出力電圧に基づいて前記半導体モジュールの温度検出を行う温度検出回路と、を有することを特徴とする半導体モジュールの温度検出装置。
IPC (4件)：
G01R 31/26
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H02M 1/00
G01R 31/26 G
, G01R 31/26 C
, H02M 1/00 R
, H01L 27/04 H
