1-TSRAM互換性メモリのための方法及び装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大島陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-061012
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297067
出願日： 1999年03月09日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】リフレッシュにより外部アクセスにおける遅延が生じることのないDRAMセルを用いたSRAM互換性メモリを提供する。【解決手段】リフレッシュが外部アクセスに影響を与えないようにDRAMアレイのリフレッシュを処理する。これにより、SRAM互換性メモリは、DRAM(或いは1トランジスタ)セルから組み立てられるようになる。頻度が低いメモリリフレッシュを実行するために未使用の外部アクセス時間を利用することにより、メモリアレイのピーク帯域幅要件における損失を無くすことができる。

請求項（抜粋）：

周期的にリフレッシュする必要がある複数のメモリセルを備えるメモリアレイを動作させるための方法であって、前記メモリアレイに対する外部アクセスが未処理であるか否かを判定する過程と、外部アクセスが未処理であると判定された場合、前記外部アクセスを実行する過程と、リフレッシュが未処理であるか否かを判定する過程と、外部アクセスが未処理でないと判定された場合、前記リフレッシュを実行する過程とを有することを特徴とする方法。

IPC (2件)：

G11C 11/403 , H01L 27/10 371

FI (2件)：

G11C 11/34 371 J , H01L 27/10 371

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開昭63-247997
特開昭59-056296
特開昭60-103590

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